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暗培养温度对吉塞拉6号离体新梢生根的影响

文献类型： 中文期刊

作者： 魏海蓉 1 ; 李勃 1 ; 赵红军 2 ; 张力思 1 ; 刘庆忠 1 ;

作者机构： 1.山东省果树研究所

2.山东省农业科学院

关键词： 暗培养温度;吉塞拉6号;离体新梢;生根;甜樱桃;矮化砧木

期刊名称： 落叶果树

ISSN： 1002-2910

年卷期： 2006 年 38 卷 05 期

页码： 1-3

摘要： 以在增殖培养基上生长3~4周的甜樱桃矮化砧木吉塞拉6号离体新梢为试材,研究20℃、25℃、30℃和35℃条件下暗培养后离体新梢的生根状况。结果表明,在黑暗诱导生根阶段,20℃效果最好;其次为25℃和30℃,35℃会抑制生根。30℃最有利于根的生长,25℃和35℃次之,20℃根的生长速度最慢。

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