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甘薯细胞水平离子束辐射诱变研究初报

文献类型： 会议论文

第一作者： 李爱贤

作者： 李爱贤 1 ; 刘树震 2 ;

作者机构： 1.山东省农业科学院作物研究所,山东,济南,250100

2.济南市农业局,山东,济南,250021

关键词： 甘薯;胚性细胞团;离子束照射;突变体

会议名称： 全国甘薯育种与产业化学术研讨会

主办单位： 中国作物学会

页码： 176-180

摘要： 本文用0～100Gy12C5+和0～200Gy4He2+分别照射甘薯品种栗子香的胚性悬浮细胞;用0～100Gy4He2+照射甘薯品种玉丰的胚性细胞团,对甘薯细胞水平离子束辐射诱变进行了初步研究.根据辐射对细胞团生长的影响及其植株再生情况,确定了甘薯胚性悬浮细胞适宜的12C5+和4He2+辐射剂量分别为30～50Gy和70～100Gy;甘薯胚性细胞团适宜的4He2+辐射剂量为50～70Gy.辐照后的培养物经过培养得到一批再生植株,对部分辐照后代的调查结果表明,离子束辐射对玉丰地上部分性状产生了明显的诱变效果,辐射后代在顶叶形、叶形、顶叶色、叶脉色、脉基色、顶端茸毛等性状出现了广泛的变异;而未进行辐射处理的对照性状变异不明显.离子束作为一种新诱变源在甘薯育种上有一定的实用价值.

分类号： S531`S335

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