暗培养温度对吉塞拉6号离体新梢生根的影响

魏海蓉; 李勃; 赵红军; 张力思; 刘庆忠; 《落叶果树 》 2006

摘要：以在增殖培养基上生长3~4周的甜樱桃矮化砧木吉塞拉6号离体新梢为试材,研究20℃、25℃、30℃和35℃条件下暗培养后离体新梢的生根状况。结果表明,在黑暗诱导生根阶段,20℃效果最好;其次为25℃和30℃,35℃会抑制生根。30℃最有利于根的生长,25℃和35℃次之,20℃根的生长速度最慢。

关键词： 暗培养温度 吉塞拉6号 离体新梢 生根 甜樱桃 矮化砧木